在半導(dǎo)體芯片尺寸逼近物理極限、納米材料應(yīng)用突破傳統(tǒng)邊界的今天，如何實現(xiàn)微米級甚至納米級器件的精準(zhǔn)測試與操控，成為制約科技創(chuàng)新的關(guān)鍵瓶頸。澤攸憑借自主研發(fā)的探針臺系列產(chǎn)品，以“三維定位精度達(dá)納米級、環(huán)境適應(yīng)性跨越-196℃至400℃”的核心技術(shù)，為微納電子、光電材料、量子計算等領(lǐng)域提供了從基礎(chǔ)研究到產(chǎn)業(yè)化的全鏈條解決方案。
 

　　一、半導(dǎo)體行業(yè)的“質(zhì)量守門人”

　　在晶圓制造環(huán)節(jié)，澤攸手動探針臺系統(tǒng)通過特制熱沉設(shè)計將溫度波動控制在±0.1℃以內(nèi)，配合高精度微調(diào)樣品座，可實現(xiàn)0.1μm級落針精度。該系統(tǒng)支持4-8個探針臂同步操作，單軸定位精度達(dá)±0.005mm，能同時完成集成電路的電壓、電流、電阻及電容特性曲線測試。某國產(chǎn)存儲芯片廠商采用該設(shè)備后，將晶圓測試良率從92%提升至98.7%，單片晶圓測試時間縮短40%，每年節(jié)省檢測成本超千萬元。

　　二、異常環(huán)境下的“科學(xué)探險家”

　　澤攸低溫液氮探針臺LN-4H-06突破傳統(tǒng)測試邊界，其真空腔體可達(dá)6×10??Pa超高真空，變溫樣品臺實現(xiàn)80K至400K寬溫域調(diào)控。在北京大學(xué)核殼填料研究中，該設(shè)備在-193℃低溫下，通過SEM納米探針臺的單球電氣測試功能，精確驗證了銀微球涂覆氧化鋁層后的絕緣性能，電阻值提升6個數(shù)量級，為高性能熱管理材料開發(fā)提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。

　　三、納米科技的“萬能操作臺”

　　微納探針臺采用壓電陶瓷驅(qū)動技術(shù)，在100mm×100mm行程范圍內(nèi)實現(xiàn)亞納米級定位，配備的連續(xù)變倍顯微鏡可實現(xiàn)700倍視頻放大。在量子點器件研發(fā)中，該設(shè)備通過光纖探針替換傳統(tǒng)電學(xué)探針，成功實現(xiàn)單光子發(fā)射器的原位表征，將測試效率提升10倍。更值得關(guān)注的是，其模塊化設(shè)計支持快速升級，某科研團隊通過加裝納米鑷子選件，在真空環(huán)境中完成了碳納米管的機械剝離與電學(xué)測試。

　　從晶圓廠到國家重點實驗室，澤攸探針臺已形成覆蓋手動、自動、低溫、SEM原位等12大系列的產(chǎn)品矩陣，累計服務(wù)全球300余家科研機構(gòu)及企業(yè)。在芯片制程邁向2nm、量子計算進入工程化階段的當(dāng)下，這些能“在頭發(fā)絲上雕刻電路”的精密儀器，正持續(xù)推動著微納電子技術(shù)的邊界拓展。