與傳統(tǒng)透射式光掩模不同，EUV掩模采用反射式設(shè)計(jì)（因EUV光易被材料吸收）。其表面吸收層的高度變化需精確控制，才能實(shí)現(xiàn)13.5nm極紫外光的精準(zhǔn)反射與衍射。

關(guān)鍵挑戰(zhàn)：

•吸收層臺(tái)階高度誤差需<1nm

•多層膜表面粗糙度要求<0.2nm

1. 白光干涉技術(shù)

通過(guò)分析反射光干涉條紋的相位變化，實(shí)現(xiàn)三維形貌納米級(jí)重建，可精準(zhǔn)捕捉吸收層微結(jié)構(gòu)：

2. 0.01nm縱向分辨率

相當(dāng)于1個(gè)硅原子直徑的1/20，能檢測(cè)到肉眼不可見(jiàn)的膜層凸起或凹陷：

3. 高效動(dòng)態(tài)掃描

•單視野掃描僅需2秒（50倍物鏡）

•自適應(yīng)光學(xué)系統(tǒng)實(shí)時(shí)優(yōu)化光路，應(yīng)對(duì)表面傾斜或反射率變化：

? 缺陷檢測(cè)

識(shí)別吸收層殘留物、多層膜剝落等致命缺陷，避免數(shù)千萬(wàn)美元的晶圓報(bào)廢：

? 工藝優(yōu)化

量化刻蝕與沉積工藝的均勻性，推動(dòng)良率提升：

隨著3nm以下制程的演進(jìn)，EUV掩模的測(cè)量精度需求將持續(xù)攀升。Sensofar S neox為代表的測(cè)量技術(shù)，正在為摩爾定律的延續(xù)鋪設(shè)“看不見(jiàn)的基石"