在材料科學(xué)、半導(dǎo)體與復(fù)合材料研究領(lǐng)域，大面積樣品的表面均勻性分析是揭示材料性能與制備工藝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。Sensofar S wide大視野3D光學(xué)輪廓儀憑借其“大視場+高精度"特性，為科研人員提供了宏觀尺度下的微觀觀察工具。

產(chǎn)品細(xì)節(jié)：兼顧視野與細(xì)節(jié)的光學(xué)設(shè)計

S wide采用大視場鏡頭設(shè)計，標(biāo)配5x物鏡時視場直徑達(dá)10mm，單次測量可覆蓋傳統(tǒng)設(shè)備的8倍以上區(qū)域。其核心光學(xué)系統(tǒng)支持共聚焦顯微鏡與白光干涉雙模切換：共聚焦模式下橫向分辨率0.3μm，縱向分辨率5nm，適合粗糙表面或高斜率樣品的測量；白光干涉模式則將縱向分辨率提升至0.1nm，可精準(zhǔn)捕捉納米級臺階高度與表面平整度。

設(shè)備搭載500萬像素CMOS傳感器，配合數(shù)字變焦功能，既能實(shí)現(xiàn)10mm×10mm區(qū)域的整體掃描，也可對局部細(xì)節(jié)進(jìn)行放大觀察。針對透明樣品（如玻璃、聚合物薄膜），透過式共聚焦模式可穿透表層觀察內(nèi)部結(jié)構(gòu)；反射式模式則通過優(yōu)化光源角度，清晰呈現(xiàn)金屬、陶瓷等不透明材料的表面紋理。

性能優(yōu)勢：高效掃描與數(shù)據(jù)統(tǒng)計

S wide的“快速拼接算法"支持多區(qū)域測量數(shù)據(jù)的自動拼接，拼接精度0.1μm，拼接速度較傳統(tǒng)算法提升50%。以300mm×300mm晶圓測量為例，傳統(tǒng)設(shè)備需分9次掃描并手動拼接，耗時1.5小時；S wide僅需1小時即可完成精細(xì)掃描（分辨率500nm），兼顧效率與精度。

配套軟件具備大面積數(shù)據(jù)統(tǒng)計功能，可自動計算樣品的粗糙度分布（Sa、Sq）、厚度均勻性、缺陷密度等參數(shù)，為科研分析提供量化依據(jù)。例如，在復(fù)合材料研究中，S wide可分析纖維分布均勻性，揭示材料力學(xué)性能與微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系。

用材與工藝：科研級精度保障

光學(xué)鏡頭采用高透光率肖特玻璃，經(jīng)多層增透鍍膜處理，大視場范圍內(nèi)透光均勻性達(dá)95%；鏡頭艙采用雙層防塵結(jié)構(gòu)，內(nèi)層密封光學(xué)艙與外層防護(hù)蓋設(shè)計，避免灰塵進(jìn)入影響成像質(zhì)量。樣品臺臺面采用航空級鋁合金，表面經(jīng)過精密研磨，平整度誤差小于3μm，確保大面積樣品放置后無明顯傾斜，保障掃描一致性。

內(nèi)部機(jī)械傳動部件采用雙滾珠絲杠與伺服電機(jī)，傳動精度達(dá)0.1μm/mm，長期使用后仍能保持穩(wěn)定的平移精度，減少拼接誤差。設(shè)備外殼采用冷軋鋼板，表面經(jīng)過防靜電噴涂處理，能抵抗實(shí)驗(yàn)室常見化學(xué)試劑的腐蝕，同時減少靜電對電子元件的影響。

參數(shù)表與型號選擇

標(biāo)準(zhǔn)版適用于常規(guī)科研需求，增強(qiáng)版則通過更高分辨率與更快掃描速度，滿足對數(shù)據(jù)精度與效率要求更高的研究場景。

典型科研應(yīng)用與操作流程

在半導(dǎo)體制造中，S wide用于分析晶圓表面的顆粒污染與薄膜厚度均勻性；在復(fù)合材料研究領(lǐng)域，其大視場特性可快速檢測材料表面的纖維分布與孔隙率。操作流程如下：

1. 樣品固定：使用可調(diào)節(jié)夾具固定不規(guī)則形狀樣品，耐磨防滑墊防止滑動；

2. 模式選擇：粗糙樣品選共聚焦模式，光滑樣品選白光干涉模式；

3. 區(qū)域定位：通過低倍物鏡框選測量區(qū)域，軟件自動規(guī)劃掃描路徑；

4. 數(shù)據(jù)分析：生成包含3D形貌圖、截面曲線與粗糙度參數(shù)的檢測報告。