產(chǎn)品細(xì)節(jié)與性能

針對(duì)半導(dǎo)體制造的納米級(jí)檢測(cè)需求，DSX1000開(kāi)發(fā)三項(xiàng)核心技術(shù)：

1. 亞微米對(duì)焦：激光輔助自動(dòng)對(duì)焦系統(tǒng)可在0.1秒內(nèi)鎖定10nm高度差；

2. 低損傷照明：LED光源能量密度低于1mW/cm2，避免光致?lián)p傷敏感材料；

3. 層間檢測(cè)：通過(guò)調(diào)整物鏡數(shù)值孔徑，實(shí)現(xiàn)10μm厚度內(nèi)多層電路的清晰成像。

用材與工藝

物鏡使用鈣氟化物（CaF?）與鑭系玻璃組合，在193nm深紫外波段仍保持高分辨率；載物臺(tái)使用氣浮軸承設(shè)計(jì)，Z軸重復(fù)定位精度達(dá)0.02μm，滿足*封裝檢測(cè)要求。

參數(shù)表與型號(hào)

用途與案例

晶圓廠利用DSX1000的MIX照明模式，同時(shí)檢測(cè)光刻膠涂層厚度與底層硅晶格缺陷；封裝企業(yè)通過(guò)其3D重建功能分析倒裝焊球共面性，將良品率提升12%；存儲(chǔ)芯片制造商則借助偏光模式觀察相變材料結(jié)晶狀態(tài)，優(yōu)化寫(xiě)入電壓參數(shù)。

使用說(shuō)明

1. 無(wú)塵操作：在百級(jí)潔凈室內(nèi)使用，操作人員穿戴無(wú)塵服與手套；

2. 靜電防護(hù)：載物臺(tái)接地電阻＜1Ω，避免靜電擊穿芯片；

3. 數(shù)據(jù)對(duì)接：導(dǎo)出GDSII格式數(shù)據(jù)，與光刻機(jī)數(shù)據(jù)直接比對(duì)；

4. 缺陷分類：使用深度學(xué)習(xí)算法自動(dòng)識(shí)別劃痕、顆粒、孔洞等12類缺陷。