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產品中心冷熱臺英國林肯Linkam冷熱臺LinKam TS1500高溫熱臺地質與電子領域應用
產品簡介
LinKam TS1500高溫熱臺地質與電子領域應用地質研究中，TS1500 可模擬巖漿冷卻、礦物相變過程，為地質演化分析提供數據。
產品分類
LinKam TS1500高溫熱臺地質與電子領域應用
樣品處理：將玄武巖破碎后壓制成直徑 8mm、厚度 0.8mm 薄片，表面無雜質；
設備適配：換剛玉熱電偶保護套管（耐 1800℃），加熱區(qū)域通氬氣（流量 30mL/min）防樣品氧化；
程序設置：段 1（室溫→1000℃，速率 20℃/min），段 2（1000℃→1500℃，速率 10℃/min），段 3（1500℃保溫 60 分鐘），段 4（1500℃→室溫，速率 5℃/min）。
熔融監(jiān)測：軟件曲線顯示 1280℃出現拐點（熔融起始），1350℃曲線平緩（全熔融），與玄武巖理論熔融溫度吻合；
數據應用：結合顯微鏡觀察，1500℃保溫階段記錄熔體流動狀態(tài)，為巖漿黏度研究提供依據；降溫階段捕捉礦物結晶溫度（如輝石在 1100℃開始結晶），輔助重建地質體冷卻歷史。
樣品處理：取封裝環(huán)氧樹脂切片（直徑 8mm、厚度 0.5mm），保留芯片與樹脂結合面；
設備適配：用 K 型熱電偶（不銹鋼套管），樣品直接放加熱面（無需夾具）；
程序設置：段 1（室溫→800℃，速率 5℃/min），段 2（800℃保溫 30 分鐘），段 3（800℃→室溫，速率 10℃/min）。
失效監(jiān)測：450℃時樣品出現微裂紋（軟件聯動顯微鏡觀察），600℃樹脂開始碳化，記錄失效溫度區(qū)間；
數據應用：根據實驗結果，建議該環(huán)氧樹脂封裝芯片的工作溫度不超過 400℃，為電子設備耐高溫設計提供參考。
地質樣品：高溫段（1000℃以上）速率≤10℃/min，避免樣品崩裂；通惰性氣體時，確保加熱區(qū)域密封性，防止氣體泄漏影響溫度均勻性；
電子樣品：低溫段（室溫→500℃）密切觀察樣品形變，發(fā)現異常立即暫停實驗；保溫階段記錄加熱功率變化，功率驟降可能提示樣品分解；
通用注意：實驗前校準熱電偶（用標準金屬熔點驗證，如錫 231.9℃），確保測溫誤差≤±0.5℃；樣品尺寸嚴格匹配加熱區(qū)域（直徑≤10mm），避免超出部分受熱不均。