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白光干涉儀S neox的微電子領(lǐng)域應(yīng)用

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

白光干涉儀S neox的微電子領(lǐng)域應(yīng)用:Sensofar S neox為微電子制造提供非接觸式3D計(jì)量，應(yīng)用于晶圓平整度、TSV通孔、封裝凸點(diǎn)及MEMS器件的高精度快速測(cè)量，助力工藝控制與良率提升。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2025-11-14

廠商性質(zhì)：代理商

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

三維光學(xué)輪廓儀

布魯克 BEUKER白光干涉光學(xué)輪廓儀 Sensofar 儀光新型共聚焦白光干涉儀 SENSOFAR 3D光學(xué)輪廓儀 SENSOFAR共聚焦白光干涉儀 SENSOFAR結(jié)構(gòu)光三維輪廓儀 SENSOFAR平面度測(cè)量干涉儀 ZYGO三維光學(xué)輪廓儀布魯克三維光學(xué)輪廓儀

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白光干涉儀S neox的微電子領(lǐng)域應(yīng)用

微電子技術(shù)持續(xù)向著更小的線寬、更復(fù)雜的三維集成結(jié)構(gòu)發(fā)展，對(duì)制造過程中的計(jì)量檢測(cè)提出了持續(xù)的要求。無論是前道工藝的晶圓監(jiān)測(cè)，還是后道的封裝測(cè)試，都需要非接觸、高精度、高效率的測(cè)量手段。Sensofar S neox 3D光學(xué)輪廓儀結(jié)合了白光干涉和共聚焦等技術(shù)，在微電子領(lǐng)域的一些環(huán)節(jié)中可作為測(cè)量方案的一種選擇。

在晶圓制造中，化學(xué)機(jī)械拋光后晶圓的全局平整度和納米尺度的表面粗糙度是需要監(jiān)控的參數(shù)。S neox的白光干涉模式適合測(cè)量晶圓的納米級(jí)粗糙度，而其大面積自動(dòng)拼接功能可以評(píng)估晶圓的翹曲（Warp）和彎曲（Bow）等整體形貌參數(shù)。

對(duì)于三維集成電路中關(guān)鍵的硅通孔技術(shù)，通孔的深度、直徑、側(cè)壁形貌是工藝控制的重點(diǎn)。S neox可以通過高倍物鏡對(duì)通孔結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維形貌測(cè)量。雖然光學(xué)方法在測(cè)量高深寬比通孔的底部時(shí)會(huì)面臨挑戰(zhàn)，但其對(duì)于通孔開口形貌、附近區(qū)域形變以及較淺通孔的測(cè)量仍能提供有用信息。共聚焦模式對(duì)側(cè)壁粗糙度的評(píng)估也有一定幫助。

在優(yōu)良封裝領(lǐng)域，凸點(diǎn)的高度、共面性、焊盤的平整度直接影響鍵合的質(zhì)量和可靠性。S neox可以快速掃描整個(gè)芯片或基板上的凸點(diǎn)陣列，一次性獲取所有凸點(diǎn)的三維高度和位置信息，自動(dòng)計(jì)算高度分布、共面性參數(shù)，效率高于單點(diǎn)探測(cè)。

對(duì)于MEMS器件，需要精確測(cè)量可動(dòng)結(jié)構(gòu)的靜態(tài)形貌，如懸臂梁的厚度、微鏡面的平整度等。S neox的白光干涉模式能提供納米級(jí)的分辨率。通過測(cè)量施加驅(qū)動(dòng)電壓前后結(jié)構(gòu)的高度變化，可以間接分析其運(yùn)動(dòng)特性。

此外，在失效分析中，S neox可以用于觀察和測(cè)量電路表面的缺陷，如劃痕、殘留物、腐蝕坑等，并提供三維尺寸信息。

需要注意的是，隨著特征尺寸的不斷縮小，光學(xué)衍射極限可能成為限制。此時(shí)，需要根據(jù)具體的結(jié)構(gòu)尺寸和測(cè)量目標(biāo)來評(píng)估S neox的適用性。但對(duì)于許多微米級(jí)及以上尺度的結(jié)構(gòu)，以及納米級(jí)的表面粗糙度和臺(tái)階高度測(cè)量，Sensofar S neox能夠提供一種有價(jià)值的非接觸、快速的三維計(jì)量手段，輔助工藝開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量控制。